2024年2月21日，利揚(yáng)芯片全資子公司利陽(yáng)芯（東莞）微電子有限公司舉行開(kāi)業(yè)儀式。東莞市東城街道辦事處副主任李淦球先生、東城街道經(jīng)濟(jì)發(fā)展局副主任李國(guó)華先生、東城街道同沙社區(qū)書(shū)記鐘漢良先生、副書(shū)記謝錦富先生、東城投資促進(jìn)中心副主任兼科技工業(yè)園負(fù)責(zé)人盧志君先生等嘉賓出席儀式，并與公司管理團(tuán)隊(duì)共同為 “利陽(yáng)芯”隆重揭幕。

利陽(yáng)芯項(xiàng)目已入選東莞市2023年重大建設(shè)項(xiàng)目，近期已成功完成晶圓減薄、拋光，激光開(kāi)槽，激光隱切等系列技術(shù)工藝的調(diào)試并將進(jìn)入量產(chǎn)階段。

利陽(yáng)芯在晶圓減薄、拋光技術(shù)工藝方面，目前可提供業(yè)內(nèi)最高標(biāo)準(zhǔn)的超薄晶片減薄加工技術(shù)服務(wù)。采用全自動(dòng)研削拋光機(jī)，實(shí)現(xiàn)背面研削和去除應(yīng)力的一體化作業(yè)，可穩(wěn)定地實(shí)施厚度在25μm以下的薄型化加工。

利陽(yáng)芯在激光開(kāi)槽技術(shù)工藝方面，采用非接觸的激光加工去除晶圓切割道表面的金屬布線層，支持晶圓的開(kāi)槽和全切工藝，激光開(kāi)槽寬度20-120μm連續(xù)可調(diào)，開(kāi)槽深度可達(dá)26-30μm，有較好的槽型和深度穩(wěn)定性，適用于切割道存在多金屬、厚金、Low-K、鈍化層等多種情況。激光開(kāi)槽工藝技術(shù)解決常規(guī)刀片切割帶來(lái)的崩邊、金屬卷邊和金屬殘留等異常及正面鈍化層破裂的品質(zhì)問(wèn)題，避免芯片產(chǎn)品存在可靠性風(fēng)險(xiǎn)。

利陽(yáng)芯擁有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的無(wú)損內(nèi)切激光隱切技術(shù)。隱形切割是將激光聚焦于晶圓內(nèi)部以形成改質(zhì)層，配合擴(kuò)片將晶圓分割成die（裸片/裸晶）的切割方法。該技術(shù)可適用于加工最窄20μm切割道的晶圓，（標(biāo)準(zhǔn)劃片道由60μm縮小至20μm），提升晶圓芯片面積的利用率，提高Gross dies的數(shù)量，預(yù)計(jì)降低芯片成本最大可達(dá)30%以上。激光隱切技術(shù)可取代很多傳統(tǒng)金剛石水切工藝無(wú)法解決的技術(shù)難題。

另外，激光隱切屬于干式環(huán)保工藝，無(wú)損內(nèi)切在加工品質(zhì)上的優(yōu)勢(shì)如下：（1）可以抑制加工碎屑的產(chǎn)生，抗污，防止芯片的正背面崩邊和側(cè)崩，有效避免對(duì)芯片線路的損傷；（2）隱切對(duì)正面鈍化層的保護(hù)更加完好，污染、微粒粘附、PAD氧化等影響鍵合難題均可以得到有效的解決，從而保證客戶芯片產(chǎn)品穩(wěn)定的品質(zhì)和良率，對(duì)高可靠性芯片包括特種芯片更是提升品質(zhì)的最佳解決方案。

公司目前具備晶圓減薄、拋光，激光開(kāi)槽，激光隱切等系列技術(shù)工藝的服務(wù)能力，隨著該等系列技術(shù)工藝量產(chǎn)，進(jìn)一步豐富了公司技術(shù)服務(wù)的類(lèi)型，滿足全系列晶圓切割需求，有助于協(xié)同集成電路測(cè)試業(yè)務(wù)發(fā)展，提升公司的核心競(jìng)爭(zhēng)力和市場(chǎng)地位，服務(wù)更多優(yōu)質(zhì)客戶，預(yù)計(jì)對(duì)公司未來(lái)的市場(chǎng)拓展和業(yè)績(jī)成長(zhǎng)產(chǎn)生積極的影響。